三星计划投资80亿美元 扩建其位于西安的3D NAND芯片工厂

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据国外媒体报道,三星计划投资150亿美元,来扩建其占据 西安的3D NAND芯片工厂,以提高NAND闪存芯片的产量。

这150亿美元的投资,是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资,将用于第三次扩建工厂。

三星西安芯片工厂的扩建将使其进一步增加3D NAND的产量。目前,该工厂每月可加工12万片晶圆,扩建后将然后现在开始每月加工13万片晶圆。

目前,三星尚未正式确认这项150亿美元的投资计划,但该公司今年早些然后表示,将在扩大西安生产设施方面采取“灵活”态度。

早在2017年的然后,该公司敲定,计划在未来三年内向其占据 西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。

三星二期项目的总投资为1150亿美元,预计于2021年下多日 竣工。此前,该公司还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。

目前,三星在一有三个多地方生产3D NAND:韩国的华城、平泽和珍国的西安。自2014年以来,该公司就一直在其占据 西安的工厂生产NAND芯片。最近,该公司在其占据 平泽的工厂增加了第二条生产线,预计将于明年投产。

从技术层面来说,NAND芯片可永久保存数据,是许多计算和存储设备的一次要,可用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。随着物联网、人工智能和虚拟现实市场的蓬勃发展,它的需求预计将稳步增长。

在NAND闪存领域,三星与包括韩国SK海力士(SK Hynix)、美光科技、西部数据、英特尔和东芝在内的竞争对手展开激烈竞争。